FDB8876

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	FDB8876
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 30V 71A D2PAK
Datenblätte:	FDB8876.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	7088 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 7088 pcs

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Spezifikationen von FDB8876

Artikelnummer	FDB8876	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	MOSFET N-CH 30V 71A D2PAK	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	7088 pcs	Datenblatt	FDB8876.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	TO-263AB
Serie	PowerTrench®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.5 mOhm @ 40A, 10V
Verlustleistung (max)	70W (Tc)	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1700pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	45nC @ 10V	Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-	Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30V	detaillierte Beschreibung	N-Channel 30V 71A (Tc) 70W (Tc) Surface Mount TO-263AB
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	71A (Tc)

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