FDB8896

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	FDB8896
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 30V 93A TO-263AB
Datenblätte:	FDB8896.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	92653 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 92653 pcs

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Spezifikationen von FDB8896

Artikelnummer	FDB8896	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	MOSFET N-CH 30V 93A TO-263AB	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	92653 pcs	Datenblatt	FDB8896.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	TO-263AB
Serie	PowerTrench®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.7 mOhm @ 35A, 10V
Verlustleistung (max)	80W (Tc)	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Andere Namen	FDB8896-ND FDB8896TR
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	2525pF @ 15V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	67nC @ 10V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	30V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 30V 19A (Ta), 93A (Tc) 80W (Tc) Surface Mount TO-263AB	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	19A (Ta), 93A (Tc)

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