FDC642P-F085P

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	FDC642P-F085P
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	PMOS SSOT6 20V 65 MOHM
Datenblätte:	FDC642P-F085P.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	6468 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 6468 pcs

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Spezifikationen von FDC642P-F085P

Artikelnummer	FDC642P-F085P	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	PMOS SSOT6 20V 65 MOHM	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	6468 pcs	Datenblatt	FDC642P-F085P.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±8V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	TSOT-23-6
Serie	Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	65 mOhm @ 4A, 4.5V
Verlustleistung (max)	1.2W (Ta)	Verpackung / Gehäuse	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	630pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	9nC @ 4.5V	Typ FET	P-Channel
FET-Merkmal	-	Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	20V	detaillierte Beschreibung	P-Channel 20V 4A (Ta) 1.2W (Ta) Surface Mount TSOT-23-6
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	4A (Ta)

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