FDC6401N

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	FDC6401N
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET 2N-CH 20V 3A SSOT-6
Datenblätte:	FDC6401N.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	119238 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 119238 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

1 pcs: $0.242

10 pcs: $0.205

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500 pcs: $0.113

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Spezifikationen von FDC6401N

Artikelnummer	FDC6401N	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	MOSFET 2N-CH 20V 3A SSOT-6	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	119238 pcs	Datenblatt	FDC6401N.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA	Supplier Device-Gehäuse	SuperSOT™-6
Serie	PowerTrench®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	70 mOhm @ 3A, 4.5V
Leistung - max	700mW	Verpackung	Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Andere Namen	FDC6401NDKR
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	324pF @ 10V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	4.6nC @ 4.5V
Typ FET	2 N-Channel (Dual)	FET-Merkmal	Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss)	20V	detaillierte Beschreibung	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 3A 700mW Surface Mount SuperSOT™-6
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	3A

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