FDD8796

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	FDD8796
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 25V 35A DPAK
Datenblätte:	FDD8796.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	283036 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 283036 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

2500 pcs: $0.133

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Spezifikationen von FDD8796

Artikelnummer	FDD8796	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	MOSFET N-CH 25V 35A DPAK	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	283036 pcs	Datenblatt	FDD8796.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	TO-252AA
Serie	PowerTrench®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.7 mOhm @ 35A, 10V
Verlustleistung (max)	88W (Tc)	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Andere Namen	FDD8796TR
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	2610pF @ 13V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	52nC @ 10V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	25V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 25V 35A (Tc) 88W (Tc) Surface Mount TO-252AA	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	35A (Tc)

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