FDD8880

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	FDD8880
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 30V 58A DPAK
Datenblätte:	FDD8880.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	366231 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 366231 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

2500 pcs: $0.089

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Spezifikationen von FDD8880

Artikelnummer	FDD8880	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	MOSFET N-CH 30V 58A DPAK	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	366231 pcs	Datenblatt	FDD8880.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	TO-252AA
Serie	PowerTrench®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	9 mOhm @ 35A, 10V
Verlustleistung (max)	55W (Tc)	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Andere Namen	FDD8880-ND FDD8880TR
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1260pF @ 15V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	31nC @ 10V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	30V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 30V 13A (Ta), 58A (Tc) 55W (Tc) Surface Mount TO-252AA	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	13A (Ta), 58A (Tc)

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