FDMC012N03

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	FDMC012N03
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 30V
Datenblätte:	FDMC012N03.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	80409 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 80409 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

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Spezifikationen von FDMC012N03

Artikelnummer	FDMC012N03	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	MOSFET N-CH 30V	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	80409 pcs	Datenblatt	FDMC012N03.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA	Vgs (Max)	±12V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	Power33
Serie	PowerTrench®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.23 mOhm @ 35A, 10V
Verlustleistung (max)	2.3W (Ta), 64W (Tc)	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	8-PowerWDFN	Andere Namen	FDMC012N03TR
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	8183pF @ 15V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	110nC @ 10V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	30V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 30V 35A (Ta), 185A (Tc) 2.3W (Ta), 64W (Tc) Surface Mount Power33	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	35A (Ta), 185A (Tc)

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