FDMC15N06

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	FDMC15N06
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 55V 2.4A MLP
Datenblätte:	FDMC15N06.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	136893 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 136893 pcs

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Spezifikationen von FDMC15N06

Artikelnummer	FDMC15N06	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	MOSFET N-CH 55V 2.4A MLP	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	136893 pcs	Datenblatt	FDMC15N06.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	8-MLP (3.3x3.3)
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	900 mOhm @ 15A, 10V
Verlustleistung (max)	2.3W (Ta), 35W (Tc)	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	8-PowerWDFN	Andere Namen	FDMC15N06TR
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	350pF @ 25V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	11.5nC @ 10V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	55V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 55V 2.4A (Ta), 15A (Tc) 2.3W (Ta), 35W (Tc) Surface Mount 8-MLP (3.3x3.3)	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	2.4A (Ta), 15A (Tc)

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