FDMC2D8N025S

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	FDMC2D8N025S
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 25V 124A 8PQFN
Datenblätte:	FDMC2D8N025S.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	132081 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 132081 pcs

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Spezifikationen von FDMC2D8N025S

Artikelnummer	FDMC2D8N025S	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	MOSFET N-CH 25V 124A 8PQFN	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	132081 pcs	Datenblatt	FDMC2D8N025S.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	3V @ 1mA	Vgs (Max)	±16V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.9 mOhm @ 28A, 10V
Verlustleistung (max)	47W (Tc)	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	8-PowerWDFN	Andere Namen	FDMC2D8N025S-ND FDMC2D8N025SOSTR
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	4615pF @ 13V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	63nC @ 10V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	25V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 25V 124A (Tc) 47W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (3.3x3.3), Power33	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	124A (Tc)

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