FDMC86116LZ

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	FDMC86116LZ
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 100V 3.3A 8-MLP
Datenblätte:	FDMC86116LZ.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	286294 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 286294 pcs

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Spezifikationen von FDMC86116LZ

Artikelnummer	FDMC86116LZ	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	MOSFET N-CH 100V 3.3A 8-MLP	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	286294 pcs	Datenblatt	FDMC86116LZ.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	8-MLP (3.3x3.3)
Serie	PowerTrench®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	103 mOhm @ 3.3A, 10V
Verlustleistung (max)	2.3W (Ta), 19W (Tc)	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	8-PowerWDFN	Andere Namen	FDMC86116LZ-ND FDMC86116LZTR
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	310pF @ 50V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	6nC @ 10V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	100V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 100V 3.3A (Ta), 7.5A (Tc) 2.3W (Ta), 19W (Tc) Surface Mount 8-MLP (3.3x3.3)	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	3.3A (Ta), 7.5A (Tc)

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