FDMC86184

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	FDMC86184
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 100V 57A 8PQFN
Datenblätte:	FDMC86184.pdf
Zustand des Lagers	43448 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 43448 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

1 pcs: $0.755

10 pcs: $0.681

100 pcs: $0.547

500 pcs: $0.425

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Spezifikationen von FDMC86184

Artikelnummer	FDMC86184	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	MOSFET N-CH 100V 57A 8PQFN	Bleifreier Status / RoHS Status
Verfügbare Menge	43448 pcs	Datenblatt	FDMC86184.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	4V @ 110µA	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Serie	PowerTrench®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.5 mOhm @ 21A, 10V
Verlustleistung (max)	54W (Tc)	Verpackung	Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse	8-PowerWDFN	Andere Namen	FDMC86184DKR
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	2090pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	20nC @ 6V	Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-	Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100V	detaillierte Beschreibung	N-Channel 100V 57A (Tc) 54W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	57A (Tc)

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