FDMC86262P

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	FDMC86262P
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET P-CH 150V 2A POWER33
Datenblätte:	FDMC86262P.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	64059 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 64059 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

1 pcs: $0.467

10 pcs: $0.414

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500 pcs: $0.254

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Spezifikationen von FDMC86262P

Artikelnummer	FDMC86262P	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	MOSFET P-CH 150V 2A POWER33	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	64059 pcs	Datenblatt	FDMC86262P.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±25V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	8-MLP (3.3x3.3)
Serie	PowerTrench®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	307 mOhm @ 2A, 10V
Verlustleistung (max)	2.3W (Ta), 40W (Tc)	Verpackung	Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse	8-PowerWDFN	Andere Namen	FDMC86262PCT
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	885pF @ 75V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	13nC @ 10V
Typ FET	P-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	150V
detaillierte Beschreibung	P-Channel 150V 2A (Ta), 8.4A (Tc) 2.3W (Ta), 40W (Tc) Surface Mount 8-MLP (3.3x3.3)	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	2A (Ta), 8.4A (Tc)

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