FDMC86259P

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	FDMC86259P
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET P-CH 150V 13A POWER33
Datenblätte:	FDMC86259P.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	99152 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 99152 pcs

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Spezifikationen von FDMC86259P

Artikelnummer	FDMC86259P	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	MOSFET P-CH 150V 13A POWER33	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	99152 pcs	Datenblatt	FDMC86259P.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±25V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	Power33
Serie	PowerTrench®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	107 mOhm @ 3A, 10V
Verlustleistung (max)	2.3W (Ta), 62W (Tc)	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	8-PowerWDFN	Andere Namen	FDMC86259PTR
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	2045pF @ 75V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	32nC @ 10V
Typ FET	P-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	150V
detaillierte Beschreibung	P-Channel 150V 3.2A (Ta), 13A (Tc) 2.3W (Ta), 62W (Tc) Surface Mount Power33	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	3.2A (Ta), 13A (Tc)

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