FDMC8882

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	FDMC8882
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 30V 8-MLP
Datenblätte:	FDMC8882.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	117314 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 117314 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

1 pcs: $0.246

10 pcs: $0.216

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Spezifikationen von FDMC8882

Artikelnummer	FDMC8882	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	MOSFET N-CH 30V 8-MLP	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	117314 pcs	Datenblatt	FDMC8882.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	8-MLP (3.3x3.3)
Serie	PowerTrench®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	14.3 mOhm @ 10.5A, 10V
Verlustleistung (max)	2.3W (Ta), 18W (Tc)	Verpackung	Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse	8-PowerWDFN	Andere Namen	FDMC8882FSDKR
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	945pF @ 15V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	20nC @ 10V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	30V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 30V 10.5A (Ta), 16A (Tc) 2.3W (Ta), 18W (Tc) Surface Mount 8-MLP (3.3x3.3)	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	10.5A (Ta), 16A (Tc)

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