FDMC89521L

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	FDMC89521L
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET 2N-CH 60V 8.2A POWER33
Datenblätte:	FDMC89521L.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	109207 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 109207 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

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Spezifikationen von FDMC89521L

Artikelnummer	FDMC89521L	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	MOSFET 2N-CH 60V 8.2A POWER33	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	109207 pcs	Datenblatt	FDMC89521L.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA	Supplier Device-Gehäuse	8-Power33 (3x3)
Serie	PowerTrench®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	17 mOhm @ 8.2A, 10V
Leistung - max	1.9W (Ta), 16W (Tc)	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	8-PowerWDFN	Andere Namen	FDMC89521L-ND FDMC89521LTR
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1635pF @ 30V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	24nC @ 10V
Typ FET	2 N-Channel (Dual)	FET-Merkmal	Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60V	detaillierte Beschreibung	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 8.2A (Ta) 1.9W (Ta), 16W (Tc) Surface Mount 8-Power33 (3x3)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	8.2A (Ta)

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