FDMS039N08B

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	FDMS039N08B
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 80V 19.4A POWER56
Datenblätte:	FDMS039N08B.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	38436 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 38436 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

1 pcs: $0.966

10 pcs: $0.873

100 pcs: $0.702

500 pcs: $0.546

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Spezifikationen von FDMS039N08B

Artikelnummer	FDMS039N08B	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	MOSFET N-CH 80V 19.4A POWER56	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	38436 pcs	Datenblatt	FDMS039N08B.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	4.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	8-PQFN (5x6)
Serie	PowerTrench®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.9 mOhm @ 50A, 10V
Verlustleistung (max)	2.5W (Ta), 104W (Tc)	Verpackung	Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse	8-PowerTDFN	Andere Namen	FDMS039N08BCT
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	7600pF @ 40V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	100nC @ 10V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	80V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 80V 19.4A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	19.4A (Ta), 100A (Tc)

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