FDMS1D5N03

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	FDMS1D5N03
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 30V 218A 8PQFN
Datenblätte:	FDMS1D5N03.pdf
Zustand des Lagers	36203 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 36203 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

1 pcs: $0.836

10 pcs: $0.755

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500 pcs: $0.472

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Spezifikationen von FDMS1D5N03

Artikelnummer	FDMS1D5N03	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	MOSFET N-CH 30V 218A 8PQFN	Bleifreier Status / RoHS Status
Verfügbare Menge	36203 pcs	Datenblatt	FDMS1D5N03.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA	Vgs (Max)	±16V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	8-PQFN (5x6), Power56
Serie	PowerTrench®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.15 mOhm @ 40A, 10V
Verlustleistung (max)	83W (Tc)	Verpackung	Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse	8-PowerTDFN	Andere Namen	FDMS1D5N03CT
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	9690pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	63nC @ 4.5V	Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-	Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30V	detaillierte Beschreibung	N-Channel 30V 218A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6), Power56
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	218A (Tc)

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