FDMS4D0N12C

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	FDMS4D0N12C
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	PTNG 120V N-FET PQFN56
Datenblätte:	FDMS4D0N12C.pdf
Zustand des Lagers	24901 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 24901 pcs

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Spezifikationen von FDMS4D0N12C

Artikelnummer	FDMS4D0N12C	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	PTNG 120V N-FET PQFN56	Bleifreier Status / RoHS Status
Verfügbare Menge	24901 pcs	Datenblatt	FDMS4D0N12C.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	4V @ 370A	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	8-PQFN (5x6)
Serie	PowerTrench®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	4 mOhm @ 67A, 10V
Verlustleistung (max)	2.7W (Ta), 106W (Tc)	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	8-PowerTDFN	Andere Namen	FDMS4D0N12C-ND FDMS4D0N12COSTR
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status	Lead free
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	6460pF @ 60V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	82nC @ 10V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	120V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 120V 18.5A (Ta), 114A (Tc) 2.7W (Ta), 106W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	18.5A (Ta), 114A (Tc)

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