FDMS4D4N08C

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	FDMS4D4N08C
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 80V 123A 8PQFN
Datenblätte:	FDMS4D4N08C.pdf
Zustand des Lagers	58031 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Spezifikationen von FDMS4D4N08C

Artikelnummer	FDMS4D4N08C	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	MOSFET N-CH 80V 123A 8PQFN	Bleifreier Status / RoHS Status
Verfügbare Menge	58031 pcs	Datenblatt	FDMS4D4N08C.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	8-PQFN (5x6), Power56
Serie	PowerTrench®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.3 mOhm @ 44A, 10V
Verlustleistung (max)	125W (Tc)	Verpackung / Gehäuse	8-PowerTDFN
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	4090pF @ 40V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	56nC @ 10V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	80V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 80V 123A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6), Power56	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	123A (Tc)

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