FDP027N08B

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	FDP027N08B
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 80V 223A TO-220-3
Datenblätte:	FDP027N08B.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	2861 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 2861 pcs

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Spezifikationen von FDP027N08B

Artikelnummer	FDP027N08B	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	MOSFET N-CH 80V 223A TO-220-3	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	2861 pcs	Datenblatt	FDP027N08B.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	4.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	TO-220-3
Serie	PowerTrench®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.7 mOhm @ 100A, 10V
Verlustleistung (max)	246W (Tc)	Verpackung	Tube
Verpackung / Gehäuse	TO-220-3	Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	13530pF @ 40V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	178nC @ 10V	Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-	Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	80V	detaillierte Beschreibung	N-Channel 80V 120A (Tc) 246W (Tc) Through Hole TO-220-3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	120A (Tc)

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