FDP032N08B-F102

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	FDP032N08B-F102
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 80V 120A TO-220-3
Datenblätte:	FDP032N08B-F102.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	32480 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 32480 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

1 pcs: $1.089

10 pcs: $0.984

100 pcs: $0.791

800 pcs: $0.555

1600 pcs: $0.51

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Spezifikationen von FDP032N08B-F102

Artikelnummer	FDP032N08B-F102	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	MOSFET N-CH 80V 120A TO-220-3	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	32480 pcs	Datenblatt	FDP032N08B-F102.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	4.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	TO-220
Serie	PowerTrench®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.3 mOhm @ 100A, 10V
Verlustleistung (max)	263W (Tc)	Verpackung	Tube
Verpackung / Gehäuse	TO-220-3	Andere Namen	FDP032N08B_F102 FDP032N08B_F102-ND
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)	Befestigungsart	Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	10965pF @ 40V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	144nC @ 10V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	80V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 80V 120A (Tc) 263W (Tc) Through Hole TO-220	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	120A (Tc)

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