FDP2614

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	FDP2614
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 200V 62A TO-220
Datenblätte:	1.FDP2614.pdf 2.FDP2614.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	26773 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 26773 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

1 pcs: $1.30

10 pcs: $1.161

100 pcs: $0.952

800 pcs: $0.697

1600 pcs: $0.65

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Spezifikationen von FDP2614

Artikelnummer	FDP2614	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	MOSFET N-CH 200V 62A TO-220	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	26773 pcs	Datenblatt	1.FDP2614.pdf 2.FDP2614.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	TO-220-3
Serie	PowerTrench®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	27 mOhm @ 31A, 10V
Verlustleistung (max)	260W (Tc)	Verpackung	Tube
Verpackung / Gehäuse	TO-220-3	Andere Namen	FDP2614-ND FDP2614FS
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	7230pF @ 25V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	99nC @ 10V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	200V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 200V 62A (Tc) 260W (Tc) Through Hole TO-220-3	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	62A (Tc)

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Nach dem Verkauf
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