FDP2710-F085

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	FDP2710-F085
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 250V 4A TO-220
Datenblätte:	FDP2710-F085.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	21415 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 21415 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

1 pcs: $1.489

10 pcs: $1.329

100 pcs: $1.09

800 pcs: $0.797

1600 pcs: $0.744

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Spezifikationen von FDP2710-F085

Artikelnummer	FDP2710-F085	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	MOSFET N-CH 250V 4A TO-220	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	21415 pcs	Datenblatt	FDP2710-F085.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	TO-220-3
Serie	Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	47 mOhm @ 50A, 10V
Verlustleistung (max)	403W (Tc)	Verpackung	Tube
Verpackung / Gehäuse	TO-220-3	Andere Namen	FDP2710_F085 FDP2710_F085-ND
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	5690pF @ 25V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	101nC @ 10V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	250V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 250V 4A (Ta) 403W (Tc) Through Hole TO-220-3	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	4A (Ta)

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