FDS8878

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	FDS8878
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 30V 10.2A 8SOIC
Datenblätte:	FDS8878.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	340495 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 340495 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

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Spezifikationen von FDS8878

Artikelnummer	FDS8878	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	MOSFET N-CH 30V 10.2A 8SOIC	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	340495 pcs	Datenblatt	FDS8878.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	8-SO
Serie	PowerTrench®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	14 mOhm @ 10.2A, 10V
Verlustleistung (max)	2.5W (Ta)	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Andere Namen	FDS8878-ND FDS8878TR
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	897pF @ 15V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	26nC @ 10V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	30V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 30V 10.2A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	10.2A (Ta)

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