FDS89141

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	FDS89141
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET 2N-CH 100V 3.5A 8SOIC
Datenblätte:	FDS89141.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	109908 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 109908 pcs

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Spezifikationen von FDS89141

Artikelnummer	FDS89141	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	MOSFET 2N-CH 100V 3.5A 8SOIC	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	109908 pcs	Datenblatt	FDS89141.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA	Supplier Device-Gehäuse	8-SO
Serie	PowerTrench®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	62 mOhm @ 3.5A, 10V
Leistung - max	1.6W	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Andere Namen	FDS89141-ND FDS89141TR
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	398pF @ 50V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	7.1nC @ 10V
Typ FET	2 N-Channel (Dual)	FET-Merkmal	Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100V	detaillierte Beschreibung	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 3.5A 1.6W Surface Mount 8-SO
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	3.5A

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