FDT461N

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	FDT461N
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 100V 0.54A SOT-223
Datenblätte:	1.FDT461N.pdf 2.FDT461N.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	6042 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 6042 pcs

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Spezifikationen von FDT461N

Artikelnummer	FDT461N	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	MOSFET N-CH 100V 0.54A SOT-223	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	6042 pcs	Datenblatt	1.FDT461N.pdf 2.FDT461N.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	SOT-223-4
Serie	PowerTrench®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	2 Ohm @ 540mA, 10V
Verlustleistung (max)	1.13W (Ta)	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	TO-261-4, TO-261AA	Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	74pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	4nC @ 10V	Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-	Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100V	detaillierte Beschreibung	N-Channel 100V 540mA (Ta) 1.13W (Ta) Surface Mount SOT-223-4
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	540mA (Ta)

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