FDT86246

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	FDT86246
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 150V 2A SOT-223
Datenblätte:	1.FDT86246.pdf 2.FDT86246.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	70500 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 70500 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

1 pcs: $0.436

10 pcs: $0.387

100 pcs: $0.306

500 pcs: $0.237

1000 pcs: $0.187

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Spezifikationen von FDT86246

Artikelnummer	FDT86246	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	MOSFET N-CH 150V 2A SOT-223	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	70500 pcs	Datenblatt	1.FDT86246.pdf 2.FDT86246.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	SOT-223-4
Serie	PowerTrench®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	236 mOhm @ 2A, 10V
Verlustleistung (max)	2.2W (Ta)	Verpackung	Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse	TO-261-4, TO-261AA	Andere Namen	FDT86246CT
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	215pF @ 75V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	4nC @ 10V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	150V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 150V 2A (Ta) 2.2W (Ta) Surface Mount SOT-223-4	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	2A (Ta)

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