FDZ4670S

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	FDZ4670S
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 30V 25A 20FLFBGA
Datenblätte:	FDZ4670S.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	3030 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 3030 pcs

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Spezifikationen von FDZ4670S

Artikelnummer	FDZ4670S	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	MOSFET N-CH 30V 25A 20FLFBGA	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	3030 pcs	Datenblatt	FDZ4670S.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	3V @ 1mA	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	20-FLFBGA (3.5x4.0)
Serie	PowerTrench®, SyncFET™	Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.4 mOhm @ 25A, 10V
Verlustleistung (max)	2.5W (Ta)	Verpackung	Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse	20-FLFBGA (30 pos)	Andere Namen	FDZ4670SCT
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	3845pF @ 15V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	69nC @ 10V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	30V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 30V 25A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 20-FLFBGA (3.5x4.0)	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	25A (Ta)

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