FDZ7064N

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	FDZ7064N
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 30V 13.5A BGA
Datenblätte:	FDZ7064N.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	4504 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4504 pcs

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Spezifikationen von FDZ7064N

Artikelnummer	FDZ7064N	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	MOSFET N-CH 30V 13.5A BGA	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	4504 pcs	Datenblatt	FDZ7064N.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA	Vgs (Max)	±12V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	30-BGA (4x3.5)
Serie	PowerTrench®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	7 mOhm @ 14.5A, 10V
Verlustleistung (max)	2.2W (Ta)	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	30-WFBGA	Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	3843pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	43nC @ 4.5V	Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-	Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30V	detaillierte Beschreibung	N-Channel 30V 13.5A (Ta) 2.2W (Ta) Surface Mount 30-BGA (4x3.5)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	13.5A (Ta)

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