FGA6540WDF

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	FGA6540WDF
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	IGBT 650V 80A 238W TO-3PN
Datenblätte:	FGA6540WDF.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	25112 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 25112 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

1 pcs: $1.451

10 pcs: $1.303

450 pcs: $1.013

900 pcs: $0.909

1350 pcs: $0.767

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Spezifikationen von FGA6540WDF

Artikelnummer	FGA6540WDF	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	IGBT 650V 80A 238W TO-3PN	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	25112 pcs	Datenblatt	FGA6540WDF.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)	650V	VCE (on) (Max) @ Vge, Ic	2.3V @ 15V, 40A
Testbedingung	400V, 40A, 6 Ohm, 15V	Td (ein / aus) bei 25 ° C	16.8ns/54.4ns
Schaltenergie	1.37mJ (on), 250µJ (off)	Supplier Device-Gehäuse	TO-3PN
Serie	-	Rückwärts-Erholzeit (Trr)	101ns
Leistung - max	238W	Verpackung	Tube
Verpackung / Gehäuse	TO-3P-3, SC-65-3	Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Eingabetyp	Standard
IGBT-Typ	Trench Field Stop	Gate-Ladung	55.5nC
detaillierte Beschreibung	IGBT Trench Field Stop 650V 80A 238W Through Hole TO-3PN	Strom - Collector Pulsed (Icm)	120A
Strom - Kollektor (Ic) (max)	80A

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Nach dem Verkauf
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★ Lieferzeit dauert 2-4 Tage in die meisten Länder der Welt durch DHL / UPS / FEDEX / TNT.

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