FQD4N20TM

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	FQD4N20TM
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 200V 3A DPAK
Datenblätte:	1.FQD4N20TM.pdf 2.FQD4N20TM.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	329333 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 329333 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

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Spezifikationen von FQD4N20TM

Artikelnummer	FQD4N20TM	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	MOSFET N-CH 200V 3A DPAK	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	329333 pcs	Datenblatt	1.FQD4N20TM.pdf 2.FQD4N20TM.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	D-Pak
Serie	QFET®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.4 Ohm @ 1.5A, 10V
Verlustleistung (max)	2.5W (Ta), 30W (Tc)	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Andere Namen	FQD4N20TM-ND FQD4N20TMFSTR
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	220pF @ 25V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	6.5nC @ 10V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	200V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 200V 3A (Tc) 2.5W (Ta), 30W (Tc) Surface Mount D-Pak	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	3A (Tc)

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