0 Item(s)
0 Item(s)
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
| Artikelnummer | FQD4N25TM-WS | Hersteller | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Beschreibung | MOSFET N-CH 250V 3A DPAK | Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Verfügbare Menge | 256955 pcs | Datenblatt | 1.FQD4N25TM-WS.pdf2.FQD4N25TM-WS.pdf |
| VGS (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA | Vgs (Max) | ±30V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Supplier Device-Gehäuse | D-Pak |
| Serie | QFET® | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.75 Ohm @ 1.5A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 2.5W (Ta), 37W (Tc) | Verpackung | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Andere Namen | FQD4N25TM-WSTR FQD4N25TM_WS FQD4N25TM_WS-ND FQD4N25TM_WSTR FQD4N25TM_WSTR-ND FQD4N25TMWS |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | Befestigungsart | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) | Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 200pF @ 25V | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.6nC @ 10V |
| Typ FET | N-Channel | FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Drain-Source-Spannung (Vdss) | 250V |
| detaillierte Beschreibung | N-Channel 250V 3A (Tc) 2.5W (Ta), 37W (Tc) Surface Mount D-Pak | Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 3A (Tc) |
| FEDEX | www.FedEx.com | Die Grundgebühr für den Versand von 35,00 $ hängt von der Zone und dem Land ab. |
|---|---|---|
| DHL | www.DHL.com | Die Grundgebühr für den Versand von 35,00 $ hängt von der Zone und dem Land ab. |
| UPS | www.UPS.com | Die Grundgebühr für den Versand von 35,00 $ hängt von der Zone und dem Land ab. |
| TNT | www.TNT.com | Die Grundgebühr für den Versand von 35,00 $ hängt von der Zone und dem Land ab. |
