FQP2N90

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	FQP2N90
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 900V 2.2A TO-220
Datenblätte:	1.FQP2N90.pdf 2.FQP2N90.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	73444 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 73444 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

1 pcs: $0.474

10 pcs: $0.42

100 pcs: $0.332

500 pcs: $0.257

1000 pcs: $0.203

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Spezifikationen von FQP2N90

Artikelnummer	FQP2N90	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	MOSFET N-CH 900V 2.2A TO-220	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	73444 pcs	Datenblatt	1.FQP2N90.pdf 2.FQP2N90.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	TO-220-3
Serie	QFET®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	7.2 Ohm @ 1.1A, 10V
Verlustleistung (max)	85W (Tc)	Verpackung	Tube
Verpackung / Gehäuse	TO-220-3	Andere Namen	FQP2N90-ND FQP2N90FS
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	500pF @ 25V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	15nC @ 10V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	900V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 900V 2.2A (Tc) 85W (Tc) Through Hole TO-220-3	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	2.2A (Tc)

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