FQP30N06L

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	FQP30N06L
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 60V 32A TO-220
Datenblätte:	1.FQP30N06L.pdf 2.FQP30N06L.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	59948 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 59948 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

1 pcs: $0.523

10 pcs: $0.464

100 pcs: $0.367

500 pcs: $0.284

1000 pcs: $0.224

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Spezifikationen von FQP30N06L

Artikelnummer	FQP30N06L	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	MOSFET N-CH 60V 32A TO-220	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	59948 pcs	Datenblatt	1.FQP30N06L.pdf 2.FQP30N06L.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	TO-220AB
Serie	QFET®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	35 mOhm @ 16A, 10V
Verlustleistung (max)	79W (Tc)	Verpackung	Tube
Verpackung / Gehäuse	TO-220-3	Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1040pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	20nC @ 5V	Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-	Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60V	detaillierte Beschreibung	N-Channel 60V 32A (Tc) 79W (Tc) Through Hole TO-220AB
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	32A (Tc)

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Nach dem Verkauf
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FEDEX	www.FedEx.com	Die Grundgebühr für den Versand von 35,00 $ hängt von der Zone und dem Land ab.
DHL	www.DHL.com	Die Grundgebühr für den Versand von 35,00 $ hängt von der Zone und dem Land ab.
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