FQP55N10

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	FQP55N10
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 100V 55A TO-220
Datenblätte:	1.FQP55N10.pdf 2.FQP55N10.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	46306 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 46306 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

1 pcs: $0.804

10 pcs: $0.727

100 pcs: $0.584

500 pcs: $0.454

1000 pcs: $0.377

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Spezifikationen von FQP55N10

Artikelnummer	FQP55N10	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	MOSFET N-CH 100V 55A TO-220	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	46306 pcs	Datenblatt	1.FQP55N10.pdf 2.FQP55N10.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±25V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	TO-220AB
Serie	QFET®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	26 mOhm @ 27.5A, 10V
Verlustleistung (max)	155W (Tc)	Verpackung	Tube
Verpackung / Gehäuse	TO-220-3	Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	2730pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	98nC @ 10V	Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-	Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100V	detaillierte Beschreibung	N-Channel 100V 55A (Tc) 155W (Tc) Through Hole TO-220AB
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	55A (Tc)

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Nach dem Verkauf
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FEDEX	www.FedEx.com	Die Grundgebühr für den Versand von 35,00 $ hängt von der Zone und dem Land ab.
DHL	www.DHL.com	Die Grundgebühr für den Versand von 35,00 $ hängt von der Zone und dem Land ab.
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TNT	www.TNT.com	Die Grundgebühr für den Versand von 35,00 $ hängt von der Zone und dem Land ab.

★ Lieferzeit dauert 2-4 Tage in die meisten Länder der Welt durch DHL / UPS / FEDEX / TNT.

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