FQP58N08

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	FQP58N08
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 80V 57.5A TO-220
Datenblätte:	1.FQP58N08.pdf 2.FQP58N08.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	6002 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 6002 pcs

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Spezifikationen von FQP58N08

Artikelnummer	FQP58N08	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	MOSFET N-CH 80V 57.5A TO-220	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	6002 pcs	Datenblatt	1.FQP58N08.pdf 2.FQP58N08.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±25V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	TO-220-3
Serie	QFET®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	24 mOhm @ 28.75A, 10V
Verlustleistung (max)	146W (Tc)	Verpackung	Tube
Verpackung / Gehäuse	TO-220-3	Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1900pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	65nC @ 10V	Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-	Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	80V	detaillierte Beschreibung	N-Channel 80V 57.5A (Tc) 146W (Tc) Through Hole TO-220-3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	57.5A (Tc)

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