MJD31CITU

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	MJD31CITU
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	TRANS NPN 100V 3A IPAK
Datenblätte:	MJD31CITU.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	5420 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5420 pcs

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Spezifikationen von MJD31CITU

Artikelnummer	MJD31CITU	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	TRANS NPN 100V 3A IPAK	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	5420 pcs	Datenblatt	MJD31CITU.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)	100V	VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic	1.2V @ 375mA, 3A
Transistor-Typ	NPN	Supplier Device-Gehäuse	IPAK (TO-251)
Serie	-	Leistung - max	1.56W
Verpackung	Tube	Verpackung / Gehäuse	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Betriebstemperatur	150°C (TJ)	Befestigungsart	Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang	3MHz	detaillierte Beschreibung	Bipolar (BJT) Transistor NPN 100V 3A 3MHz 1.56W Through Hole IPAK (TO-251)
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE	10 @ 3A, 4V	Strom - Collector Cutoff (Max)	50µA
Strom - Kollektor (Ic) (max)	3A	Basisteilenummer	MJD31

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