MJD31C-13

Diodes Incorporated

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Produktübersicht

Artikelnummer:	MJD31C-13
Hersteller / Marke:	Diodes Incorporated
Produktbeschreibung	TRANS NPN 100V 3A DPAK
Datenblätte:	MJD31C-13.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	155196 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 155196 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

1 pcs: $0.235

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Spezifikationen von MJD31C-13

Artikelnummer	MJD31C-13	Hersteller	Diodes Incorporated
Beschreibung	TRANS NPN 100V 3A DPAK	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	155196 pcs	Datenblatt	MJD31C-13.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)	100V	VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic	1.2V @ 375mA, 3A
Transistor-Typ	NPN	Supplier Device-Gehäuse	DPAK
Serie	-	Leistung - max	1.56W
Verpackung	Cut Tape (CT)	Verpackung / Gehäuse	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Andere Namen	MJD31C-13DICT	Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Frequenz - Übergang	3MHz
detaillierte Beschreibung	Bipolar (BJT) Transistor NPN 100V 3A 3MHz 1.56W Surface Mount DPAK	DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE	10 @ 3A, 4V
Strom - Collector Cutoff (Max)	1µA	Strom - Kollektor (Ic) (max)	3A
Basisteilenummer	MJD31C

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