MJE180PWD

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	MJE180PWD
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	TRANS NPN 40V 3A
Datenblätte:	MJE180PWD.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	5414 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5414 pcs

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Spezifikationen von MJE180PWD

Artikelnummer	MJE180PWD	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	TRANS NPN 40V 3A	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	5414 pcs	Datenblatt	MJE180PWD.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)	40V	VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic	1.7V @ 600mA, 3A
Transistor-Typ	NPN	Supplier Device-Gehäuse	TO-126
Serie	-	Leistung - max	1.5W
Verpackung	Bulk	Verpackung / Gehäuse	TO-225AA, TO-126-3
Betriebstemperatur	150°C (TJ)	Befestigungsart	Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang	50MHz	detaillierte Beschreibung	Bipolar (BJT) Transistor NPN 40V 3A 50MHz 1.5W Through Hole TO-126
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE	50 @ 100mA, 1V	Strom - Collector Cutoff (Max)	100nA (ICBO)
Strom - Kollektor (Ic) (max)	3A	Basisteilenummer	MJE180

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