MJE181G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	MJE181G
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	TRANS NPN 60V 3A TO225AA
Datenblätte:	MJE181G.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	186624 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 186624 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

1 pcs: $0.19

10 pcs: $0.163

100 pcs: $0.122

500 pcs: $0.096

1000 pcs: $0.074

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Spezifikationen von MJE181G

Artikelnummer	MJE181G	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	TRANS NPN 60V 3A TO225AA	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	186624 pcs	Datenblatt	MJE181G.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)	60V	VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic	1.7V @ 600mA, 3A
Transistor-Typ	NPN	Supplier Device-Gehäuse	TO-225AA
Serie	-	Leistung - max	1.5W
Verpackung	Bulk	Verpackung / Gehäuse	TO-225AA, TO-126-3
Andere Namen	MJE181GOS	Betriebstemperatur	-65°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Frequenz - Übergang	50MHz
detaillierte Beschreibung	Bipolar (BJT) Transistor NPN 60V 3A 50MHz 1.5W Through Hole TO-225AA	DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE	50 @ 100mA, 1V
Strom - Collector Cutoff (Max)	100nA (ICBO)	Strom - Kollektor (Ic) (max)	3A
Basisteilenummer	MJE181

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