NTGD3149CT1G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	NTGD3149CT1G
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET N/P-CH 20V 6-TSOP
Datenblätte:	NTGD3149CT1G.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	4889 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4889 pcs

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Spezifikationen von NTGD3149CT1G

Artikelnummer	NTGD3149CT1G	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	MOSFET N/P-CH 20V 6-TSOP	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	4889 pcs	Datenblatt	NTGD3149CT1G.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA	Supplier Device-Gehäuse	6-TSOP
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	60 mOhm @ 3.5A, 4.5V
Leistung - max	900mW	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	387pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	5.5nC @ 4.5V	Typ FET	N and P-Channel
FET-Merkmal	Logic Level Gate	Drain-Source-Spannung (Vdss)	20V
detaillierte Beschreibung	Mosfet Array N and P-Channel 20V 3.2A, 2.4A 900mW Surface Mount 6-TSOP	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	3.2A, 2.4A

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