NTGD4167CT1G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	NTGD4167CT1G
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET N/P-CH 30V 6-TSOP
Datenblätte:	NTGD4167CT1G.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	206511 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 206511 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

1 pcs: $0.186

10 pcs: $0.156

100 pcs: $0.117

500 pcs: $0.086

1000 pcs: $0.066

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Spezifikationen von NTGD4167CT1G

Artikelnummer	NTGD4167CT1G	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	MOSFET N/P-CH 30V 6-TSOP	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	206511 pcs	Datenblatt	NTGD4167CT1G.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA	Supplier Device-Gehäuse	6-TSOP
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	90 mOhm @ 2.6A, 4.5V
Leistung - max	900mW	Verpackung	Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Andere Namen	NTGD4167CT1GOSCT
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	295pF @ 15V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	5.5nC @ 4.5V
Typ FET	N and P-Channel	FET-Merkmal	Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30V	detaillierte Beschreibung	Mosfet Array N and P-Channel 30V 2.6A, 1.9A 900mW Surface Mount 6-TSOP
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	2.6A, 1.9A	Basisteilenummer	NTGD4167C

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