NTMS10P02R2

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	NTMS10P02R2
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET P-CH 20V 8.8A 8-SOIC
Datenblätte:	NTMS10P02R2.pdf
RoHS Status	Enthält Blei / RoHS nicht konform
Zustand des Lagers	156075 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 156075 pcs

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Spezifikationen von NTMS10P02R2

Artikelnummer	NTMS10P02R2	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	MOSFET P-CH 20V 8.8A 8-SOIC	Bleifreier Status / RoHS Status	Enthält Blei / RoHS nicht konform
Verfügbare Menge	156075 pcs	Datenblatt	NTMS10P02R2.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	1.2V @ 250µA	Vgs (Max)	±12V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	8-SOIC
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	14 mOhm @ 10A, 4.5V
Verlustleistung (max)	1.6W (Ta)	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Andere Namen	NTMS10P02R2OSTR
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	3640pF @ 16V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	70nC @ 4.5V
Typ FET	P-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	20V
detaillierte Beschreibung	P-Channel 20V 8.8A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount 8-SOIC	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	8.8A (Ta)

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