NTMS4176PR2G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	NTMS4176PR2G
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET P-CH 30V 5.5A 8-SOIC
Datenblätte:	NTMS4176PR2G.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	5685 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5685 pcs

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Spezifikationen von NTMS4176PR2G

Artikelnummer	NTMS4176PR2G	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	MOSFET P-CH 30V 5.5A 8-SOIC	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	5685 pcs	Datenblatt	NTMS4176PR2G.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±25V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	8-SOIC
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	18 mOhm @ 9.6A, 10V
Verlustleistung (max)	810mW (Ta)	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1720pF @ 24V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	17nC @ 4.5V	Typ FET	P-Channel
FET-Merkmal	-	Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30V	detaillierte Beschreibung	P-Channel 30V 5.5A (Ta) 810mW (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	5.5A (Ta)

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