NTMS5P02R2G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	NTMS5P02R2G
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET P-CH 20V 3.95A 8-SOIC
Datenblätte:	NTMS5P02R2G.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	122834 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 122834 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

1 pcs: $0.299

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Spezifikationen von NTMS5P02R2G

Artikelnummer	NTMS5P02R2G	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	MOSFET P-CH 20V 3.95A 8-SOIC	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	122834 pcs	Datenblatt	NTMS5P02R2G.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	1.25V @ 250µA	Vgs (Max)	±10V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	8-SOIC
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	33 mOhm @ 5.4A, 4.5V
Verlustleistung (max)	790mW (Ta)	Verpackung	Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Andere Namen	NTMS5P02R2GOSCT
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1900pF @ 16V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	35nC @ 4.5V
Typ FET	P-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	20V
detaillierte Beschreibung	P-Channel 20V 3.95A (Ta) 790mW (Ta) Surface Mount 8-SOIC	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	3.95A (Ta)

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