NTMSD2P102LR2G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	NTMSD2P102LR2G
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET P-CH 20V 2.3A 8-SOIC
Datenblätte:	NTMSD2P102LR2G.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	243814 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 243814 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

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Spezifikationen von NTMSD2P102LR2G

Artikelnummer	NTMSD2P102LR2G	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	MOSFET P-CH 20V 2.3A 8-SOIC	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	243814 pcs	Datenblatt	NTMSD2P102LR2G.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±10V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	8-SOIC
Serie	FETKY™	Rds On (Max) @ Id, Vgs	90 mOhm @ 2.4A, 4.5V
Verlustleistung (max)	710mW (Ta)	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Andere Namen	NTMSD2P102LR2GOS
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	3 (168 Hours)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	750pF @ 16V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	18nC @ 4.5V
Typ FET	P-Channel	FET-Merkmal	Schottky Diode (Isolated)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	20V
detaillierte Beschreibung	P-Channel 20V 2.3A (Ta) 710mW (Ta) Surface Mount 8-SOIC	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	2.3A (Ta)

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