NVMS5P02R2G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	NVMS5P02R2G
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET P-CH 20V 5.4A 8SOIC
Datenblätte:	NVMS5P02R2G.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	81797 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 81797 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

1 pcs: $0.369

10 pcs: $0.326

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500 pcs: $0.20

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Spezifikationen von NVMS5P02R2G

Artikelnummer	NVMS5P02R2G	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	MOSFET P-CH 20V 5.4A 8SOIC	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	81797 pcs	Datenblatt	NVMS5P02R2G.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	1.25V @ 250µA	Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse	8-SOIC	Serie	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	33 mOhm @ 5.4A, 4.5V	Verlustleistung (max)	-
Verpackung	Cut Tape (CT)	Verpackung / Gehäuse	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Andere Namen	NVMS5P02R2GOSCT	Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1900pF @ 16V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	35nC @ 4.5V	Typ FET	P-Channel
FET-Merkmal	-	Drain-Source-Spannung (Vdss)	20V
detaillierte Beschreibung	P-Channel 20V 3.95A (Ta) Surface Mount 8-SOIC	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	3.95A (Ta)

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