DMN1008UFDF-13

Diodes Incorporated

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Produktübersicht

Artikelnummer:	DMN1008UFDF-13
Hersteller / Marke:	Diodes Incorporated
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH30V SC-59
Datenblätte:	DMN1008UFDF-13.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	840378 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Spezifikationen von DMN1008UFDF-13

Artikelnummer	DMN1008UFDF-13	Hersteller	Diodes Incorporated
Beschreibung	MOSFET N-CH30V SC-59	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	840378 pcs	Datenblatt	DMN1008UFDF-13.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA	Vgs (Max)	±8V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	U-DFN2020-6 (Type F)
Serie	Automotive, AEC-Q101	Rds On (Max) @ Id, Vgs	8 mOhm @ 5A, 4.5V
Verlustleistung (max)	700mW (Ta)	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	6-UDFN Exposed Pad	Andere Namen	DMN1008UFDF-13-ND DMN1008UFDF-13DITR
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	995pF @ 6V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	23.4nC @ 8V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	12V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 12V 12.2A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type F)	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	12.2A (Ta)

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