DMN1019USN-13

Diodes Incorporated

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Produktübersicht

Artikelnummer:	DMN1019USN-13
Hersteller / Marke:	Diodes Incorporated
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59
Datenblätte:	DMN1019USN-13.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	840439 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 840439 pcs

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Spezifikationen von DMN1019USN-13

Artikelnummer	DMN1019USN-13	Hersteller	Diodes Incorporated
Beschreibung	MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	840439 pcs	Datenblatt	DMN1019USN-13.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	800mV @ 250µA	Vgs (Max)	±8V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	SC-59
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	10 mOhm @ 9.7A, 4.5V
Verlustleistung (max)	680mW (Ta)	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Andere Namen	DMN1019USN-13DITR
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	2426pF @ 10V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	50.6nC @ 8V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	1.2V, 2.5V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	12V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 12V 9.3A (Ta) 680mW (Ta) Surface Mount SC-59	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	9.3A (Ta)

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