DMN1150UFL3-7

Diodes Incorporated

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Produktübersicht

Artikelnummer:	DMN1150UFL3-7
Hersteller / Marke:	Diodes Incorporated
Produktbeschreibung	MOSFET 2N-CHA 12V 2A DFN1310
Datenblätte:	DMN1150UFL3-7.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	1021590 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 1021590 pcs

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Artikelnummer	DMN1150UFL3-7	Hersteller	Diodes Incorporated
Beschreibung	MOSFET 2N-CHA 12V 2A DFN1310	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	1021590 pcs	Datenblatt	DMN1150UFL3-7.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA	Supplier Device-Gehäuse	X2-DFN1310-6
Serie	Automotive, AEC-Q101	Rds On (Max) @ Id, Vgs	150 mOhm @ 1A, 4.5V
Leistung - max	390mW	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	6-XFDFN	Andere Namen	DMN1150UFL3-7DITR
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	115pF @ 6V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	1.4nC @ 4.5V
Typ FET	2 N-Channel (Dual)	FET-Merkmal	Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss)	12V	detaillierte Beschreibung	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 12V 2A 390mW Surface Mount X2-DFN1310-6
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	2A

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